AP10N06D دیتاشیت

AP10N06D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP10N06D
حجم فایل 68.07 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت AP10N06D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: A Power microelectronics AP10N06D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 42W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.1nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 330pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 46pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: A Power microelectronics

محصولات مشابه